普興公司宣布成功研發出6英寸碳化硅（SiC）外延高速率生長工藝，標志著在第三代半導體電子專用材料領域邁出了關鍵一步。該工藝通過優化氣相外延生長參數，實現了外延層的高速沉積，顯著提升了生產效率和材料質量。關鍵技術突破包括：一是采用新型前驅體輸送系統，提高了氣體流量穩定性；二是疊加原位監控技術，精確控制溫度和退火條件，消除應力和缺陷。專家指出，6英寸大面積晶圓的外延工藝往往要求精準平衡速率與晶體完善度，普興在這一核心難題上的進展，加速了大尺寸耐高溫電子器件的大規模產業化。據技術人員介紹，新工藝基礎上生長的外延薄膜已通過6英寸產品試制復核，正賽階段復合缺陷和環境雜質密度相對4英寸基準均有明顯下降。這既有助低成本推廣碳化硅器件，支撐高效功率電子車輛、輸變電、外通信和光伏行業等領域產業進程的工程難度。